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IRFB3306PBF  与  IRF3205ZPBF  区别

型号 IRFB3306PBF IRF3205ZPBF
唯样编号 A-IRFB3306PBF A36-IRF3205ZPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 230 W 85 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB Single N-Channel 55 V 6.5 mOhm 110 nC 170 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.2mΩ@75A,10V 6.5mΩ@66A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 230W(Tc) 170W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 160A 110A
系列 HEXFET® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4520pF @ 50V 3450pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V 110nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4520pF 3450pF @ 25V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC 110nC @ 10V
库存与单价
库存 0 43
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥3.19
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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30: ¥2.431
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¥3.19 

阶梯数 价格
20: ¥3.19
43 对比

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