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IRFB3306GPBF  与  IRFB3306PBF  区别

型号 IRFB3306GPBF IRFB3306PBF
唯样编号 A-IRFB3306GPBF A-IRFB3306PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3306GPBF, 160 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装 Single N-Channel 60 V 230 W 85 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.83mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.2mΩ 4.2mΩ@75A,10V
引脚数目 3 -
最小栅阈值电压 2V -
栅极电压Vgs - ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
封装/外壳 - TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 160A 160A
长度 10.67mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
每片芯片元件数目 1 Ohms -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4520pF @ 50V 4520pF
高度 16.51mm -
类别 功率 MOSFET -
典型关断延迟时间 40 ns -
晶体管材料 Si -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) 230W 230W(Tc)
晶体管配置 -
FET类型 - N-Channel
系列 HEXFET HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 50V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4520pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
典型接通延迟时间 15 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V 120nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB3306GPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

10.67mm

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IRFB3306PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

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