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IRF7807ZTRPBF  与  BSO083N03MSGXUMA1  区别

型号 IRF7807ZTRPBF BSO083N03MSGXUMA1
唯样编号 A-IRF7807ZTRPBF A-BSO083N03MSGXUMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 18.2 mOhm 11 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8 MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 1.56W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 13.8mΩ@11A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2100pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 8-SO 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 11A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 27nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 8.3 毫欧 @ 14A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 770pF @ 15V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 770pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 11A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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