首页 > 商品目录 > > > > IRF7473TRPBF代替型号比较

IRF7473TRPBF  与  FDS4480  区别

型号 IRF7473TRPBF FDS4480
唯样编号 A-IRF7473TRPBF A-FDS4480
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 40 V 12 mOhm SMT PowerTrench® Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 26mΩ@4.1A,10V 12m Ohms@10.8A,10V
漏源极电压Vds 100V 40V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V +30V,-20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.9A 10.8A
系列 HEXFET® PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5.5V @ 250µA 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3180pF @ 25V 1686pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 61nC @ 10V 41nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3180pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 61nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7473TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
AO4454 AOS 功率MOSFET

8-SOIC

暂无价格 0 对比
FDS3580 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 对比
FDS3672 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 对比
FDS3572 ON Semiconductor 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 对比
FDS4480 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售