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IRF7404TRPBF  与  DMP2038USS-13  区别

型号 IRF7404TRPBF DMP2038USS-13
唯样编号 A-IRF7404TRPBF A-DMP2038USS-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ@3.2A,4.5V -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 38mΩ@5A,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1496 pF @ 15 V
栅极电压Vgs ±12V ±8V
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 14.4 nC @ 4.5 V
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 6.7A 6.5A(Ta)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA -
驱动电压 - 2.5V,4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.7V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7404TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
DMP2038USS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

¥0.794 

阶梯数 价格
70: ¥0.794
100: ¥0.6248
1,250: ¥0.5687
2,500: ¥0.5265
6,238 对比
DMP4025LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

¥2.937 

阶梯数 价格
20: ¥2.937
100: ¥2.266
1,250: ¥1.969
1,469 对比
DMP2038USS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7404 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
DMP2038USS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比

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