首页 > 商品目录 > > > > IRF7306TRPBF代替型号比较

IRF7306TRPBF  与  IRF7306TR  区别

型号 IRF7306TRPBF IRF7306TR
唯样编号 A-IRF7306TRPBF A-IRF7306TR
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual P-Channel 30 V 0.16 Ohm 25 nC 2 W Generation V SMT Mosfet - SOIC-8 MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 100mΩ@1.8A,10V -
漏源极电压Vds 30V -
功率-最大值 - 2W
Pd-功率耗散(Max) 2W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 440pF @ 25V
FET类型 P-Channel 2 个 P 沟道(双)
封装/外壳 8-SO 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.6A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 25V -
FET功能 - 逻辑电平门
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 100 毫欧 @ 1.8A,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 3.6A
漏源电压(Vdss) - 30V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7306TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
AO4803A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥1.111 

阶梯数 价格
50: ¥1.111
200: ¥0.8591
1,500: ¥0.7458
3,000: ¥0.649
6,960 对比
STS4DPF30L STMicro  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 2,500 对比
DMP3085LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

8-SO

¥0.9526 

阶梯数 价格
60: ¥0.9526
100: ¥0.6347
315 对比
STS4DPF30L STMicro  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
IRF7306TR Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC(0.154"",3.90mm宽)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售