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IRF630  与  IRF630NPBF  区别

型号 IRF630 IRF630NPBF
唯样编号 A-IRF630 A-IRF630NPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 300mΩ
上升时间 - 14ns
Qg-栅极电荷 - 23.3nC
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 4.9S
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 9.3A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 15ns
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds - 200V
Pd-功率耗散(Max) - 82W
典型关闭延迟时间 - 27ns
FET类型 - N-Channel
系列 - HEXFET®
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 575pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 35nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 7.9ns
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF630 STMicro  数据手册 通用MOSFET

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