首页 > 商品目录 > > > > IRF60R217代替型号比较

IRF60R217  与  DMTH6009LK3-13  区别

型号 IRF60R217 DMTH6009LK3-13
唯样编号 A-IRF60R217 A-DMTH6009LK3-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 IRF60R217 Series 60 V 58 A 9.9 mOhm Surface Mount IR Mosfet - DPAK-3 MOSFET N-CH 60V 14.2A
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.9mΩ@35A,10V 10mΩ@13.5A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 83W(Tc) 3.2W(Ta),60W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak DPAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 58A 14.2A
系列 StrongIRFET™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 50µA 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2170pF @ 25V 1925pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 66nC @ 10V 33.5nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 50µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2170pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 66nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF60R217 Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 当前型号
DMTH6009LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售