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IRF4104SPBF  与  IPB015N04NGATMA1  区别

型号 IRF4104SPBF IPB015N04NGATMA1
唯样编号 A-IRF4104SPBF A-IPB015N04NGATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 75 V 200 W 150 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 250W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.5mΩ@75A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 20000pF @ 20V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 D2PAK TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 250nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 1.5 毫欧 @ 100A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3000pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 200uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3000pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 120A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 40V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF4104SPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB100NF04T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
BUK768R1-40E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK768R1-40E_SOT404

¥6.0489 

阶梯数 价格
210: ¥6.0489
400: ¥5.1262
800: ¥4.7029
0 对比
IPB015N04NGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB015N04N G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
STB100NF04T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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BUK9606-40B_SOT404

¥17.5899 

阶梯数 价格
180: ¥17.5899
400: ¥13.7421
800: ¥11.264
0 对比

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