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IRF1324PBF  与  AUIRF1324  区别

型号 IRF1324PBF AUIRF1324
唯样编号 A-IRF1324PBF A-AUIRF1324
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1324PBF, 353 A, Vds=24 V, 3引脚 TO-220AB封装 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1324, 353 A, Vds=24 V, 3引脚 TO-220AB封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.83mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 2mΩ 2mΩ
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 300W 300W
最小栅阈值电压 2V 2V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 353A 353A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 24V
长度 - 10.66mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
典型接通延迟时间 17 ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7590pF @ 24V 7590pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 240nC @ 10V 240nC
高度 - 9.02mm
典型关断延迟时间 83 ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1324PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 当前型号
AUIRF1324 Infineon  数据手册 功率MOSFET

10.66mm

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