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IRF1018EPBF  与  IRF1010N  区别

型号 IRF1018EPBF IRF1010N
唯样编号 A-IRF1018EPBF A-IRF1010N
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 110 W 46 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.4mΩ@47A,10V 11mΩ
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 79A 72A
Ptot max - 130.0W
QG - 80.0nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2290pF @ 50V -
Budgetary Price €€/1k - 0.59
RthJC max - 1.2K/W
漏源极电压Vds 60V 55V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) -
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 27.3nC
Mounting - THT
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2290pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 69nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 69nC @ 10V -
Tj max - 175.0°C
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1018EPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

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STP60NF06 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥5.049 

阶梯数 价格
10: ¥5.049
100: ¥4.037
1,000: ¥3.74
1,264 对比
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TO-220

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