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IPW60R075CPAFKSA1  与  R6047ENZ1C9  区别

型号 IPW60R075CPAFKSA1 R6047ENZ1C9
唯样编号 A-IPW60R075CPAFKSA1 A3-R6047ENZ1C9
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 AUTOMOTIVE
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 72mΩ@25.8A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 120W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 PG-TO247-3 TO-247
工作温度 - 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 47A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3850pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 145nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 0 470
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPW60R075CPAFKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R075CPA_PG-TO247-3

暂无价格 0 当前型号
STW40N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 1,770 对比
R6047ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 120W(Tc) 72mΩ@25.8A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 47A

暂无价格 470 对比
SCT3060ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

¥119.5117 

阶梯数 价格
2: ¥119.5117
5: ¥74.1391
6 对比
R6046FNZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) N 通道 TO-247

¥64.48 

阶梯数 价格
3: ¥64.48
3 对比
STW40N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比

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