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IPP80N06S2L07AKSA2  与  IPP80N06S2L-07  区别

型号 IPP80N06S2L07AKSA2 IPP80N06S2L-07
唯样编号 A-IPP80N06S2L07AKSA2 A-IPP80N06S2L-07
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 210W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7mΩ@60A,10V
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 210W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3160pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 PG-TO220-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 150uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 80A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 7 毫欧 @ 60A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 55V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3160pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP80N06S2L07AKSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP80N06S2L-07_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
PSMN7R6-60PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN7R6-60PS_SOT78 N-Channel 149W 175℃ 3V 60V 92A

¥8.6807 

阶梯数 价格
20: ¥8.6807
50: ¥7.1153
0 对比
AOT460 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 60V 20V 85A 268W 7.5mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IPP80N06S2L-07 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP80N06S2L07AKSA2_N-Channel 55V 80A(Tc) ±20V 210W(Tc) 7mΩ@60A,10V -55°C~175°C(TJ) PG-TO220-3

暂无价格 0 对比
IPP80N06S2L-09 Infineon 功率MOSFET

IPP80N06S2L09AKSA2_55V 80A PG-TO220-3-1 11.3mΩ N-Channel 1.2V,2V

暂无价格 0 对比
IPP80N06S2L-11 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP80N06S2L11AKSA2_55V 80A TO-220 14.7mΩ N-Channel 1.2V,2V

暂无价格 0 对比

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