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IPP70N10S3L12AKSA1  与  AOT298L  区别

型号 IPP70N10S3L12AKSA1 AOT298L
唯样编号 A-IPP70N10S3L12AKSA1 A-AOT298L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 125W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 14.5mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 100W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 5550pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO220
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 83uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 80nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 58A
系列 - AOT
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1670pF @ 50V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 12.1 毫欧 @ 70A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 27nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 70A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 100V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP70N10S3L12AKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP70N10S3L-12_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STP80NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 18,000 对比
STP80NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥1.7021 

阶梯数 价格
1: ¥1.7021
25: ¥1.4673
40 对比
AOT298L AOS  数据手册 功率MOSFET

±20V 14.5mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 100V 58A TO220 100W

暂无价格 0 对比
IPI50N10S3L-16 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPI50N10S3L16AKSA1_100V 50A 15.4mΩ 20V 100W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
PSMN013-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN013-100PS_TO-220 N-Channel 170W -55°C~175°C ±20V 100V 68A

¥9.4602 

阶梯数 价格
20: ¥9.4602
50: ¥7.7543
0 对比

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