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IPP65R190C7FKSA1  与  AOT25S65L  区别

型号 IPP65R190C7FKSA1 AOT25S65L
唯样编号 A-IPP65R190C7FKSA1 A-AOT25S65L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 13A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 72W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 190 mΩ @ 12.5A,10V
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 357W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1150pF @ 400V -
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 290uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 25A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 190 毫欧 @ 5.7A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
栅极电荷Qg - 26.4nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 13A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 650V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP65R190C7FKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP65R190C7_TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
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