首页 > 商品目录 > > > > IPP65R150CFDXKSA2代替型号比较

IPP65R150CFDXKSA2  与  IPP65R150CFD  区别

型号 IPP65R150CFDXKSA2 IPP65R150CFD
唯样编号 A-IPP65R150CFDXKSA2 A-IPP65R150CFD
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 195.3W(Tc) -
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 135mΩ
上升时间 - 7.6ns
Qg-栅极电荷 - 86nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2340pF @ 100V -
栅极电压Vgs - 20V
封装/外壳 TO-220-3 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 86nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 22.4A
配置 - Single
长度 - 10mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 150 毫欧 @ 9.3A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
下降时间 - 5.6ns
高度 - 15.65mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 195.3W
典型关闭延迟时间 - 52.8ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 900uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSCFD2
25°C时电流-连续漏极(Id) 22.4A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 650V -
典型接通延迟时间 - 12.4ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP65R150CFDXKSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
IPP65R150CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP65R150CFDXKSA1_10mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售