首页 > 商品目录 > > > > IPP65R095C7XKSA1代替型号比较

IPP65R095C7XKSA1  与  TK31E60X,S1X  区别

型号 IPP65R095C7XKSA1 TK31E60X,S1X
唯样编号 A-IPP65R095C7XKSA1 A-TK31E60X,S1X
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3 MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 128W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 600 V
Pd-功率耗散(Max) - 230W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 88 毫欧 @ 9.4A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2140pF @ 400V 3000 pF @ 300 V
Vgs(th) - 3.5V @ 1.5mA
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 65 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 590uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 30.8A(Ta)
FET功能 - 超级结
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 95 毫欧 @ 11.8A,10V -
Vgs(最大值) ±20V ±30V
25°C时电流-连续漏极(Id) 24A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
漏源电压(Vdss) 650V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP65R095C7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP65R095C7_TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
TK31E60X,S1X Toshiba  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售