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IPP60R165CPXKSA1  与  STP26NM60N  区别

型号 IPP60R165CPXKSA1 STP26NM60N
唯样编号 A-IPP60R165CPXKSA1 A36-STP26NM60N
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3 Single N-Channel 600 V 0.165 Ohm 60 nC 140 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 192W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 165mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 140W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 790uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 52nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 20A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 165 毫欧 @ 12A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 21A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 600V -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1800pF @ 50V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 10V
库存与单价
库存 0 128
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
7+ :  ¥7.326
100+ :  ¥5.852
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP60R165CPXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R165CP_TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥6.4482 

阶梯数 价格
1: ¥6.4482
25: ¥6.2002
50: ¥5.9618
100: ¥5.7325
200: ¥5.512
500: ¥5.3
1,000: ¥5.194
1,999 对比
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥7.326 

阶梯数 价格
7: ¥7.326
100: ¥5.852
128 对比
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