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IPP120P04P4L03AKSA2  与  IPP120P04P4L-03  区别

型号 IPP120P04P4L03AKSA2 IPP120P04P4L-03
唯样编号 A-IPP120P04P4L03AKSA2 A-IPP120P04P4L-03
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 136W(Tc) -
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.2mΩ
上升时间 - 16ns
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 - 180nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 15000pF @ 25V -
栅极电压Vgs - -4.5V
封装/外壳 TO-220-3 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 234nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id - 120A
配置 - Single
长度 - 10mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.4 毫欧 @ 100A,10V -
Vgs(最大值) +5V,-16V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
下降时间 - 57ns
高度 - 15.65mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 136W
典型关闭延迟时间 - 85ns
FET类型 P 通道 P-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 340uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS-P2
25°C时电流-连续漏极(Id) 120A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 40V -
典型接通延迟时间 - 21ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP120P04P4L03AKSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

P 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
IPP120P04P4L-03 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP120P04P4L03AKSA1_40V 120A 5.2mΩ -4.5V 136W P-Channel -55°C~175°C 车规

暂无价格 0 对比
IPP120P04P4L03AKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP120P04P4L-03_P 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比

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