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IPP086N10N3GXKSA1  与  AOT288L  区别

型号 IPP086N10N3GXKSA1 AOT288L
唯样编号 A-IPP086N10N3GXKSA1 A-AOT288L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 14
功率耗散(最大值) 125W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 9.2mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 12.5mΩ
Qgd(nC) - 4
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3980pF @ 50V -
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 11.5
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 55nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 46A
Ciss(pF) - 1871
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 8.6 毫欧 @ 73A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 32
Td(off)(ns) - 21.5
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 80V
Pd-功率耗散(Max) - 93.5W
Qrr(nC) - 162
VGS(th) - 3.4
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 75uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 100V -
Coss(pF) - 265
Qg*(nC) - 26.5
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥7.1429
100+ :  ¥5.1471
500+ :  ¥4.4304
1,000+ :  ¥3.5
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP086N10N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP086N10N3 G_TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
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TO-220

暂无价格 1,000 对比
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TO-220

¥7.1429 

阶梯数 价格
1: ¥7.1429
100: ¥5.1471
500: ¥4.4304
1,000: ¥3.5
1,000 对比
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