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IPP041N04NGXKSA1  与  AOT1404L  区别

型号 IPP041N04NGXKSA1 AOT1404L
唯样编号 A-IPP041N04NGXKSA1 A-AOT1404L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 151
功率耗散(最大值) 94W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.2mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 23
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4500pF @ 20V -
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 16
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 56nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 220A
Ciss(pF) - 3568
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 4.1 毫欧 @ 80A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 45
Td(off)(ns) - 54
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 417W
Qrr(nC) - 287
VGS(th) - 3.7
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 45uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 40V -
Coss(pF) - 1388
Qg*(nC) - 71
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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