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IPP032N06N3GXKSA1  与  AOT266L  区别

型号 IPP032N06N3GXKSA1 AOT266L
唯样编号 A-IPP032N06N3GXKSA1 A-AOT266L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 20
功率耗散(最大值) 188W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.5mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 4mΩ
Qgd(nC) - 7
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 13000pF @ 30V -
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 21
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 165nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 140A
Ciss(pF) - 5650
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.2 毫欧 @ 100A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 27
Td(off)(ns) - 36
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 268W
Qrr(nC) - 145
VGS(th) - 3.2
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 118uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 120A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 60V -
Coss(pF) - 720
Qg*(nC) - 65*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP032N06N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP032N06N3 G_TO-220-3

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