首页 > 商品目录 > > > > IPD90N06S4L05ATMA2代替型号比较

IPD90N06S4L05ATMA2  与  IPD90N06S4L05ATMA1  区别

型号 IPD90N06S4L05ATMA2 IPD90N06S4L05ATMA1
唯样编号 A-IPD90N06S4L05ATMA2 A-IPD90N06S4L05ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 107W(Tc) 107W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 8180pF @ 25V 8180pF @ 25V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 60uA 2.2V @ 60uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V 110nC @ 10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 4.6 毫欧 @ 90A,10V 4.6 毫欧 @ 90A,10V
Vgs(最大值) ±16V ±16V
25°C时电流-连续漏极(Id) 90A(Tc) 90A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 60V 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD90N06S4L05ATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD90N06S4L-05_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
IPD90N06S4L05ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售