首页 > 商品目录 > > > > IPD50N03S2L06ATMA1代替型号比较

IPD50N03S2L06ATMA1  与  NTD4302T4G  区别

型号 IPD50N03S2L06ATMA1 NTD4302T4G
唯样编号 A-IPD50N03S2L06ATMA1 A32-NTD4302T4G
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 136W(Tc) -
功率 - 1.04W(Ta),75W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 10 毫欧 @ 20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 68nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 8.4A(Ta),68A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 6.4 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2400pF @ 24V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 85uA -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2400pF @ 24V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 80nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 50A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 30V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 80nC @ 10V
库存与单价
库存 0 20
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥5.571
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD50N03S2L06ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N03S2L-06_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
DMN3009SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

¥1.3068 

阶梯数 价格
40: ¥1.3068
100: ¥1.0098
1,250: ¥0.8524
2,500: ¥0.7227
2,838 对比
AOD418 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥3.0612 

阶梯数 价格
1: ¥3.0612
100: ¥2.2059
1,000: ¥1.8987
2,500: ¥1.5
2,496 对比
IRLR8726TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 2,000 对比
NTD4302T4G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

DPAK

¥5.571 

阶梯数 价格
1: ¥5.571
20 对比
IRLR8256TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售