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IPD50N03S2L06ATMA1  与  IPD30N03S2L10ATMA1  区别

型号 IPD50N03S2L06ATMA1 IPD30N03S2L10ATMA1
唯样编号 A-IPD50N03S2L06ATMA1 A-IPD30N03S2L10ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31 MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 136W(Tc) 100W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V 1200pF @ 25V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 85uA 2V @ 50uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 68nC @ 10V 42nC @ 10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 6.4 毫欧 @ 50A,10V 10 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 50A(Tc) 30A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 30V 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD50N03S2L06ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N03S2L-06_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
DMN3009SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

¥1.3068 

阶梯数 价格
40: ¥1.3068
100: ¥1.0098
1,250: ¥0.8524
2,500: ¥0.7227
2,838 对比
AOD418 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥3.0612 

阶梯数 价格
1: ¥3.0612
100: ¥2.2059
1,000: ¥1.8987
2,500: ¥1.5
2,496 对比
IRLR8726TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 2,000 对比
NTD4302T4G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

DPAK

¥5.571 

阶梯数 价格
1: ¥5.571
20 对比
IRFR3709ZTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比

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