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IPD35N10S3L26ATMA1  与  BUK7227-100B,118  区别

型号 IPD35N10S3L26ATMA1 BUK7227-100B,118
唯样编号 A-IPD35N10S3L26ATMA1 A-BUK7227-100B,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31 MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 71W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 167W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V -
输出电容 - 241pF
栅极电压Vgs - 3V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 SOT428
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 39uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 185℃
连续漏极电流Id - 48A
输入电容 - 2092pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 24 毫欧 @ 35A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 35A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 100V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 27mΩ@10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
490+ :  ¥8.1273
1,000+ :  ¥6.3002
1,250+ :  ¥5.1641
2,500+ :  ¥4.7377
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阶梯数 价格
30: ¥2.0394
100: ¥1.5642
1,250: ¥1.3662
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