首页 > 商品目录 > > > > IPD25N06S4L30ATMA2代替型号比较

IPD25N06S4L30ATMA2  与  STD30NF06LT4  区别

型号 IPD25N06S4L30ATMA2 STD30NF06LT4
唯样编号 A-IPD25N06S4L30ATMA2 A3-STD30NF06LT4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31 MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 29W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1220pF @ 25V -
FET类型 N 通道 -
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 8uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 16.3nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 30 毫欧 @ 25A,10V -
Vgs(最大值) ±16V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 25A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 60V -
库存与单价
库存 0 45,000
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD25N06S4L-30_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
STD30NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 45,000 对比
RSD221N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥5.7782 

阶梯数 价格
30: ¥5.7782
50: ¥5.1075
100: ¥4.5517
500: ¥4.5421
1,000: ¥4.5325
2,000: ¥4.5134
4,000: ¥4.4846
7,301 对比
RSD221N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥5.7782 

阶梯数 价格
30: ¥5.7782
50: ¥5.1075
100: ¥4.5517
500: ¥4.5421
1,000: ¥4.5325
2,000: ¥4.5134
2,500 对比
RD3L220SNFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

¥13.6741 

阶梯数 价格
20: ¥13.6741
50: ¥9.1225
100: ¥7.2923
440 对比
STD30NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售