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IPD050N03LGBTMA1  与  AOD522P  区别

型号 IPD050N03LGBTMA1 AOD522P
唯样编号 A-IPD050N03LGBTMA1 A-AOD522P
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 68W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.2 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W(Ta),53W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3200pF @ 15V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252,(D-Pak)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 31nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 17A(Ta),46A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
栅极电荷Qg - 18nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 50A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 30V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD050N03LGBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD050N03L G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
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IPD050N03L G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

¥2.992 

阶梯数 价格
2,500: ¥2.992
5,000: ¥2.959
10,000: ¥2.926
12,500 对比
IPD050N03LGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD050N03L G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

¥4.455 

阶梯数 价格
20: ¥4.455
25: ¥3.883
100: ¥3.674
250: ¥3.641
500: ¥3.256
816 对比
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