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IPC90N04S53R6ATMA1  与  DMTH43M8LPSQ-13  区别

型号 IPC90N04S53R6ATMA1 DMTH43M8LPSQ-13
唯样编号 A-IPC90N04S53R6ATMA1 A-DMTH43M8LPSQ-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34 MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 63W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 2.7W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 3.3mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1950pF @ 25V 3367 pF @ 20 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 49 nC @ 10 V
封装/外壳 8-PowerTDFN PowerDI5060-8
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.4V @ 23uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 32.6nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id - 22A(Ta),100A(Tc)
驱动电压 - 5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.6 毫欧 @ 45A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 90A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 7V,10V -
漏源电压(Vdss) 40V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPC90N04S53R6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPC90N04S5-3R6_8-PowerTDFN

暂无价格 0 当前型号
DMTH43M8LPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI5060-8

暂无价格 0 对比
DMTH43M8LPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI5060-8

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