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IPC50N04S55R8ATMA1  与  RS1G180MNTB  区别

型号 IPC50N04S55R8ATMA1 RS1G180MNTB
唯样编号 A-IPC50N04S55R8ATMA1 A33-RS1G180MNTB
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33 RS1G180MN Series 40 V 18 A 19.5 nC Surface Mount N-Channel Power Mosfet - HSOP-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 42W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7mΩ@18A,10V
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 3W(Ta),30W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1090pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN HSOP
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.4V @ 13uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 18nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 18A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1293pF @ 20V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5.8 毫欧 @ 25A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 19.5nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 50A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 7V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 40V -
库存与单价
库存 0 70
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPC50N04S55R8ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPC50N04S5-5R8_8-PowerTDFN

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阶梯数 价格
2,500: ¥1.6984
10,000 对比
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暂无价格 70 对比
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暂无价格 0 对比

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