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IPB60R160C6ATMA1  与  TK16G60W,RVQ  区别

型号 IPB60R160C6ATMA1 TK16G60W,RVQ
唯样编号 A-IPB60R160C6ATMA1 A-TK16G60W,RVQ
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 176W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 600 V
Pd-功率耗散(Max) - 130W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 190 毫欧 @ 7.9A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1660pF @ 100V 1350 pF @ 300 V
Vgs(th) - 3.7V @ 790uA
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 38 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB D2PAK
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 750uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 75nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 15.8A(Ta)
FET功能 - 超级结
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 160 毫欧 @ 11.3A,10V -
Vgs(最大值) ±20V ±30V
25°C时电流-连续漏极(Id) 23.8A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
漏源电压(Vdss) 600V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB60R160C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R160C6_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

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