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IPB090N06N3GATMA1  与  IRL3705NSTRLPBF  区别

型号 IPB090N06N3GATMA1 IRL3705NSTRLPBF
唯样编号 A-IPB090N06N3GATMA1 A36-IRL3705NSTRLPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Single N-Channel 55 V 170 W 98 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 71W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 10mΩ@46A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 30V -
栅极电压Vgs - ±16V
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB D2PAK
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 89A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 9 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3600pF @ 25V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 3.8W(Ta),170W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 34uA -
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3600pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 98nC @ 5V
25°C时电流-连续漏极(Id) 50A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 60V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 98nC @ 5V
库存与单价
库存 0 65
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
7+ :  ¥7.557
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