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IPB057N06NATMA1  与  AOB2606L  区别

型号 IPB057N06NATMA1 AOB2606L
唯样编号 A-IPB057N06NATMA1 A-AOB2606L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 16.8
功率耗散(最大值) 3W(Ta),83W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.2mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 5
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 30V -
栅极电压Vgs - 30V
Td(on)(ns) - 18
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 72A
Ciss(pF) - 4050
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5.7 毫欧 @ 45A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 26
Td(off)(ns) - 33
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 115W
Qrr(nC) - 125
VGS(th) - 3.5
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 36uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 17A(Ta),45A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 60V -
Coss(pF) - 345
Qg*(nC) - 22 Ohms
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB057N06NATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB057N06N_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

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BUK766R0-60E_SOT404

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