首页 > 商品目录 > > > > IPB042N10N3GATMA1代替型号比较

IPB042N10N3GATMA1  与  AUIRFS4010  区别

型号 IPB042N10N3GATMA1 AUIRFS4010
唯样编号 A-IPB042N10N3GATMA1 A-AUIRFS4010
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 214W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.7mΩ@106A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 375W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 8410pF @ 50V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB D2PAK
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 117nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 180A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 4.2 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 100A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 100V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9575pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 215nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB042N10N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB042N10N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
AOB292L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

¥14.6939 

阶梯数 价格
1: ¥14.6939
100: ¥10.5882
400: ¥9.1139
800: ¥7.2
749 对比
PSMN3R8-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R8-100BS_SOT404

¥15.4899 

阶梯数 价格
210: ¥15.4899
400: ¥13.127
800: ¥12.0431
0 对比
AUIRFS4010TRL Infineon  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
AUIRFS4010 Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
PSMN5R6-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN5R6-100BS_SOT404

¥13.2728 

阶梯数 价格
210: ¥13.2728
400: ¥11.2481
800: ¥10.3194
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售