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IPB027N10N5ATMA1  与  PSMN2R8-80BS,118  区别

型号 IPB027N10N5ATMA1 PSMN2R8-80BS,118
唯样编号 A-IPB027N10N5ATMA1 A-PSMN2R8-80BS,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 250W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 80V
Pd-功率耗散(Max) - 306W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 10300pF @ 50V -
输出电容 - 847pF
栅极电压Vgs - 3V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB SOT404
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.8V @ 184uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 139nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id - 120A
输入电容 - 9961pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2.7 毫欧 @ 100A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 120A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
漏源电压(Vdss) 100V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 3mΩ@10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
210+ :  ¥15.4899
400+ :  ¥13.127
800+ :  ¥12.0431
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