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IPB019N06L3GATMA1  与  AOB260L  区别

型号 IPB019N06L3GATMA1 AOB260L
唯样编号 A-IPB019N06L3GATMA1 A-AOB260L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 40
功率耗散(最大值) 250W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.2mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 2.5mΩ
Qgd(nC) - 15
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 28000pF @ 30V -
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 30
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 166nC @ 4.5V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 140A
Ciss(pF) - 11800
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1.9 毫欧 @ 100A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 32
Td(off)(ns) - 74
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 330W
Qrr(nC) - 200
VGS(th) - 3.2
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 196uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 120A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 60V -
Coss(pF) - 1360
Qg*(nC) - 150*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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