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IPA70R900P7SXKSA1  与  IPAW70R950CE  区别

型号 IPA70R900P7SXKSA1 IPAW70R950CE
唯样编号 A-IPA70R900P7SXKSA1 A-IPAW70R950CE
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 700V 6A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 20.5W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 950mΩ
Rth - 3.8K/W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 211pF @ 400V -
RthJA max - 80.0K/W
栅极电压Vgs - 2.5V,3.5V
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220 FullPAK
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.8nC @ 400V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -40°C~150°C
连续漏极电流Id - 7.4A
Ptot max - 33.0W
QG - 15.3nC
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 900 毫欧 @ 1.1A,10V -
Vgs(最大值) ±16V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Budgetary Price €€/1k - 0.44
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 700V
FET类型 N 通道 N-Channel
Qgd - 8.0nC
Pin Count - 3.0Pins
Mounting - THT
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 60uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 6A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 700V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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