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IPA60R125C6XKSA1  与  R6030KNXC7  区别

型号 IPA60R125C6XKSA1 R6030KNXC7
唯样编号 A-IPA60R125C6XKSA1 A33-R6030KNXC7
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 34W(Tc) 86W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2127pF @ 100V 2350pF @ 25V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220FM
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 960uA 5V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 96nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 125 毫欧 @ 14.5A,10V 130 毫欧 @ 14.5A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 30A(Tc) 30A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
漏源电压(Vdss) 600V 600V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 56nC @ 10V
库存与单价
库存 0 378
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
10+ :  ¥15.3511
50+ :  ¥15.0636
100+ :  ¥14.7761
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPA60R125C6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R125C6_TO-220-3整包

暂无价格 0 当前型号
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TO-220FP

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阶梯数 价格
6: ¥8.47
100: ¥7.183
745 对比
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TO-220-3

¥49.3473 

阶梯数 价格
1: ¥49.3473
100: ¥28.5228
1,000: ¥18.0834
495 对比
R6030KNXC7 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220FM

¥15.3511 

阶梯数 价格
10: ¥15.3511
50: ¥15.0636
100: ¥14.7761
378 对比
R6030KNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 100 对比
R6030KNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥14.9486 

阶梯数 价格
20: ¥14.9486
28 对比

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