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IMB3AT110  与  RN2610(TE85L,F)  区别

型号 IMB3AT110 RN2610(TE85L,F)
唯样编号 A-IMB3AT110 A-RN2610(TE85L,F)
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 通用三极管
描述 IMB3A Series 50 V 100 mA Surface Mount Dual PNP Digital Transistor - SC-74 TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 300mW -
功率 - 300mW
特征频率fT 250MHz -
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) - 300mV @ 250uA,5mA
集电极-射极饱和电压 -300mV -
产品状态 - 在售
电流-集电极(Ic)(最大值) - 100mA
电阻器-基极(R1) - 4.7 千欧
封装/外壳 SOT-457 SM6
电压-集射极击穿(最大值) - 50V
VCBO -50V -
工作温度 -55℃~150℃ -
频率-跃迁 - 200MHz
VEBO -5V -
集电极连续电流 -100mA -
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) - 120 @ 1mA,5V
电流-集电极截止(最大值) - 100nA(ICBO)
直流电流增益hFE 100 -
集电极-发射极最大电压VCEO -50V -
晶体管类型 PNP 2 个 PNP 预偏压式(双)
R1 4.7K Ohms -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥2.3477
100+ :  ¥1.3311
1,000+ :  ¥0.8146
3,000+ :  ¥0.6159
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IMB3AT110 ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-457 300mW PNP -50V -100mA -300mV 100 250MHz

¥2.3477 

阶梯数 价格
1: ¥2.3477
100: ¥1.3311
1,000: ¥0.8146
3,000: ¥0.6159
100 当前型号
RN2610(TE85L,F) Toshiba  数据手册 通用三极管

SM6 2 个 PNP 预偏压式(双)

暂无价格 0 对比

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