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FDS8884  与  AO4468  区别

型号 FDS8884 AO4468
唯样编号 A-FDS8884 A-AO4468
制造商 ON Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 23 mOhm 13 nC Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 82
Rds On(Max)@Id,Vgs 23m Ohms@8.5A,10V 17mΩ@10.5A,10V
Rds On(Max)@4.5V - 23mΩ
Qgd(nC) - 3
栅极电压Vgs ±20V ±20V
Td(on)(ns) - 5
封装/外壳 8-SOIC SO-8
连续漏极电流Id 8.5A 10.5A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃
Ciss(pF) - 740
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
Trr(ns) - 18
Td(off)(ns) - 19
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 3.1W
Qrr(nC) - 9
VGS(th) - 2.4
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 635pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 10V -
Coss(pF) - 110
Qg*(nC) - 7.5
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS8884 ON Semiconductor 功率MOSFET

8.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 23m Ohms@8.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 8.5A 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55℃~150℃

¥0.7975 

阶梯数 价格
70: ¥0.7975
200: ¥0.5511
9,758 对比
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DFN 2x2B N-Channel 20V ±8V 8A 2.8W 12.5mΩ@8A,4.5V -55°C~150°C

¥2.0513 

阶梯数 价格
1: ¥2.0513
100: ¥1.6327
1,000: ¥1.1765
1,500: ¥1.0127
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SO-8 N-Channel 30V 12V 8.5A 3.1W 24mΩ@10V

¥1.694 

阶梯数 价格
30: ¥1.694
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SO-8 N-Channel 30V 20V 10A 3.1W 23mΩ@10V

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SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55℃~150℃

暂无价格 0 对比

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