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FDS4480  与  RS6G120BGTB1  区别

型号 FDS4480 RS6G120BGTB1
唯样编号 A-FDS4480 A33-RS6G120BGTB1-0
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 40 V 12 mOhm SMT PowerTrench® Mosfet - SOIC-8 NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 12m Ohms@10.8A,10V 1.34mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 104W
栅极电压Vgs +30V,-20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC HSOP8 (Single)
连续漏极电流Id 10.8A 120A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1686pF @ 20V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 0 1,756
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
3+ :  ¥70.172
10+ :  ¥15.9356
50+ :  ¥11.0294
100+ :  ¥10.4161
500+ :  ¥10.0041
1,000+ :  ¥9.9274
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS4480 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
RSS065N03TB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOP

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SO8

暂无价格 0 对比
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥70.172 

阶梯数 价格
3: ¥70.172
10: ¥15.9356
50: ¥11.0294
100: ¥10.4161
500: ¥10.0041
1,000: ¥9.9274
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