首页 > 商品目录 > > > > FDS3590代替型号比较

FDS3590  与  IRF7488TRPBF  区别

型号 FDS3590 IRF7488TRPBF
唯样编号 A-FDS3590 A-IRF7488TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 80 V 39 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8 N-Channel 80 V 2.5 W 38 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 39m Ohms@6.5A,10V 29mΩ@3.8A,10V
漏源极电压Vds 80V 80V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
连续漏极电流Id 6.5A 6.3A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 PowerTrench® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1180pF @ 40V 1680pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V 57nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1680pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 57nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS3590 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
DMN6040SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

¥1.551 

阶梯数 价格
40: ¥1.551
100: ¥1.199
1,250: ¥1.0131
2,500: ¥0.858
2,712 对比
FDS3512 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

暂无价格 0 对比
IRF7488TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
DMN6040SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
DMN6040SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售