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FDS3572  与  IRF7493PBF-1  区别

型号 FDS3572 IRF7493PBF-1
唯样编号 A-FDS3572 A-IRF7493PBF-1
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 80 V 16 mOhm 2.5 W Surface Mount PowerTrench MosFet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 16m Ohms@8.9A,10V 15mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 2.5W
漏源极电压Vds 80V 80V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) -
栅极电压Vgs ±20V 20V
RthJA max - 50.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 12.0nC
封装/外壳 8-SOIC SO-8
Mounting - SMD
连续漏极电流Id 8.9A 7.4A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1990pF @ 25V -
QG - 35.0nC
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
Tj max - 150.0°C
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS3572 ON Semiconductor 通用MOSFET

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