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FDC610PZ  与  AO6403  区别

型号 FDC610PZ AO6403
唯样编号 A-FDC610PZ A-AO6403
制造商 ON Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 30 V 42 mOhm 24 nC SMT PowerTrench Mosfet - SSOT-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 95
功率 1.6W(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 42 毫欧 @ 4.9A,10V 35mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 58mΩ
Qgd(nC) - 3.2
栅极电压Vgs ±25V 20V
Td(on)(ns) - 8
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 TSOP-6
连续漏极电流Id 4.9A -6A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 760
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1005pF @ 15V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 15
Td(off)(ns) - 17
漏源极电压Vds 30V -30V
Pd-功率耗散(Max) 1.6W(Ta) 2W
Qrr(nC) - 9.7
VGS(th) - -2.4
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1005pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 24nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 24nC @ 10V -
Coss(pF) - 140
Qg*(nC) - 6.7
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDC610PZ ON Semiconductor 通用MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6 SuperSOT SOT-23-6细型,TSOT-23-6

暂无价格 0 当前型号
DMP3050LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TSOT-26

¥0.9405 

阶梯数 价格
60: ¥0.9405
200: ¥0.649
688 对比
RSQ035P03TR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

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