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FCPF20N60  与  SPP20N60C3  区别

型号 FCPF20N60 SPP20N60C3
唯样编号 A-FCPF20N60 A-SPP20N60C3
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 0.19 Ohm Flange Mount SuperFET Mosfet TO-220F
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 190mΩ@10A,10V 190mΩ
上升时间 - 5ns
Rth - 0.6 K/W
RthJA max - 62.0 K/W
栅极电压Vgs ±30V 2.1V,3.9V
RthJA max - 62.0K/W
封装/外壳 TO-220F-3 TO-220
连续漏极电流Id 20A 20.7A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
配置 - Single
QG (typ @10V) - 87.0 nC
Ptot max - 156.0W
长度 - 10mm
QG - 87.0nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
IDpuls max - 62.1 A
下降时间 - 4.5ns
高度 - 15.65mm
Budgetary Price €€/1k - 1.89
RthJC max - 0.6K/W
漏源极电压Vds 600V 600V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 39W(Tc) 208W
典型关闭延迟时间 - 67ns
FET类型 N-Channel N-Channel
Mounting - THT
RthJC max - 0.6 K/W
系列 SuperFET™ CoolMOSC3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3080pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 98nC @ 10V -
Ptot max - 156.0 W
典型接通延迟时间 - 10ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCPF20N60 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3 TO-220F TO-220F-3

暂无价格 0 当前型号
STF24N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220FP

¥4.895 

阶梯数 价格
20: ¥4.895
100: ¥3.916
1,000: ¥3.63
9,361 对比
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥6.4482 

阶梯数 价格
1: ¥6.4482
25: ¥6.2002
50: ¥5.9618
100: ¥5.7325
200: ¥5.512
500: ¥5.3
1,000: ¥5.194
1,999 对比
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥7.326 

阶梯数 价格
7: ¥7.326
100: ¥5.852
128 对比
SPP20N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPP20N60C3HKSA1_10mm TO-220

¥8.8 

阶梯数 价格
6: ¥8.8
10: ¥8.778
121 对比
SPP20N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPP20N60C3HKSA1_10mm TO-220

暂无价格 0 对比

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