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FCP165N60E  与  STP26NM60N  区别

型号 FCP165N60E STP26NM60N
唯样编号 A-FCP165N60E A36-STP26NM60N
制造商 ON Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.165 Ohm 60 nC 140 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 227W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 165 毫欧 @ 11.5A,10V 165mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) - 140W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
连续漏极电流Id 23A(Tc) 20A(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2434pF @ 380V 1800pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 75nC @ 10V 60nC @ 10V
库存与单价
库存 0 128
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
7+ :  ¥7.326
100+ :  ¥5.852
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCP165N60E ON Semiconductor 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥6.4482 

阶梯数 价格
1: ¥6.4482
25: ¥6.2002
50: ¥5.9618
100: ¥5.7325
200: ¥5.512
500: ¥5.3
1,000: ¥5.194
1,999 对比
STP24N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

¥6.567 

阶梯数 价格
8: ¥6.567
100: ¥5.247
1,000: ¥4.862
1,350 对比
STP24N60DM2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220

¥7.711 

阶梯数 价格
7: ¥7.711
100: ¥6.523
596 对比
IPP60R190P6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R190P6XKSA1_10mm

¥23.889 

阶梯数 价格
7: ¥23.889
10: ¥20.0273
50: ¥17.7179
100: ¥15.7823
500: ¥15.7631
500 对比
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥7.326 

阶梯数 价格
7: ¥7.326
100: ¥5.852
128 对比

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