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FCP104N60F  与  IPP60R099C6  区别

型号 FCP104N60F IPP60R099C6
唯样编号 A-FCP104N60F A-IPP60R099C6
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 104m Ohms@18.5A,10V 90mΩ
上升时间 - 12ns
Qg-栅极电荷 - 119nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 TO-220 -
连续漏极电流Id 37A 37.9A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 - 6ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2660pF @ 100V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 1.21mA
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 357W(Tc) 278W
典型关闭延迟时间 - 75ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HiPerFET™,Polar™ CoolMOSC6
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6130pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 145nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 15ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 119nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCP104N60F ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3 TO-220

暂无价格 0 当前型号
AOT42S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

¥35.2728 

阶梯数 价格
1: ¥35.2728
25: ¥28.98
50: ¥23.7636
549 对比
TK25E60X5,S1X Toshiba  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比
STP35N60DM2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
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IPP60R099C6XKSA1_10mm

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TO-220

暂无价格 0 对比

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