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FCH072N60F  与  SCT3060ALGC11  区别

型号 FCH072N60F SCT3060ALGC11
唯样编号 A-FCH072N60F A33-SCT3060ALGC11-0
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET SiC MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 481 W 215 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-247-3 SCT3060AL Series 650 V 39 A 78 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 72m Ohms@26A,10V 60mΩ
上升时间 - 37ns
漏源极电压Vds 600V 650V
Pd-功率耗散(Max) 481W(Tc) 165W
Qg-栅极电荷 - 58nC
栅极电压Vgs ±20V 5.6V
典型关闭延迟时间 - 34ns
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-247 TO-247-3
连续漏极电流Id 52A 39A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 175°C(TJ)
系列 FRFET®,SuperFET® II SCT3x
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 5.6V @ 6.67mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 8660pF @ 100V 852pF @ 500V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 215nC @ 10V 58nC @ 18V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 18V
下降时间 - 21ns
典型接通延迟时间 - 19ns
库存与单价
库存 0 450
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
2+ :  ¥93.1314
10+ :  ¥78.087
50+ :  ¥69.0796
100+ :  ¥61.5286
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCH072N60F ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3 TO-247

暂无价格 0 当前型号
SCT3060ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

TO-247-3

¥93.1314 

阶梯数 价格
2: ¥93.1314
10: ¥78.087
50: ¥69.0796
100: ¥61.5286
450 对比
R6047ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-247

暂无价格 450 对比
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¥64.48 

阶梯数 价格
3: ¥64.48
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