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FCD850N80Z  与  IPD70R1K4CE  区别

型号 FCD850N80Z IPD70R1K4CE
唯样编号 A-FCD850N80Z A-IPD70R1K4CE
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 FCD850N80Z Series 800 V 6 A 850 mOhm N-Channel SuperFet II Mosfet -TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 850mΩ@3A,10V 1400mΩ
Rth - 2.37K/W
栅极电压Vgs ±20V 2.5V,3.5V
RthJA max - 62.0K/W
封装/外壳 DPAK DPAK (TO-252)
连续漏极电流Id 6A 5.4A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -40°C~150°C
Ptot max - 53.0W
QG - 10.5nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 600µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1315pF @ 100V -
Budgetary Price €€/1k - 0.18
漏源极电压Vds 800V 700V
Moisture Level - 3
Pd-功率耗散(Max) 75W(Tc) -
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 5.8nC
Pin Count - 3.0Pins
Mounting - SMT
系列 SuperFET® II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 600µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1315pF @ 100V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCD850N80Z ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

6A(Tc) ±20V 75W(Tc) 850mΩ@3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 800V 6A

暂无价格 0 当前型号
STD9NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.542 

阶梯数 价格
20: ¥3.542
100: ¥2.959
1,250: ¥2.684
2,037 对比
IPD70R1K4CE Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD70R1K4CEAUMA1_1400mΩ 700V 5.4A DPAK (TO-252) N-Channel -40°C~150°C 2.5V,3.5V

暂无价格 0 对比
AOD7S65 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 650V 30V 7A 89W 650mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IPD60R600C6BTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD60R600E6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R600E6_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

暂无价格 0 对比

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