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DMTH6010SK3-13  与  IRFR1018ETRPBF  区别

型号 DMTH6010SK3-13 IRFR1018ETRPBF
唯样编号 A-DMTH6010SK3-13 A-IRFR1018ETRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 16.3A/70A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 8.4mΩ@47A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W(Ta) 110W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 8mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1940 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 36.3 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 D-Pak
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 16.3A(Ta),70A(Tc) 79A
系列 - HEXFET®
驱动电压 10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2290pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 69nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2290pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 69nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6010SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

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